
供电电流 22 mA
电路数 1
通道数 1
耗散功率 2180 mW
带宽 400 MHz
转换速率 1.00 kV/μs
增益频宽积 400 MHz
输入补偿电压 5 mV
输入偏置电流 6 µA
可用通道 S
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
3dB带宽 1.4 GHz
增益带宽 400 MHz
耗散功率Max 2180 mW
共模抑制比Min 67 dB
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SON-8
长度 3 mm
宽度 3 mm
高度 0.88 mm
封装 SON-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead

THS4275DRBR引脚图

THS4275DRBR封装图

THS4275DRBR封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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THS4275DRBR | TI 德州仪器 | 低噪声,高转换速率,单位增益稳定的电压放大器客户反馈 LOW NOISE, HIGH SLEW RATE, UNITY GAIN STABLE VOLTAGE FREEBACK AMPLIFIER | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: THS4275DRBR 品牌: TI 德州仪器 封装: MSOP 8Pin 1kV/us 1Channel | 当前型号 | 低噪声,高转换速率,单位增益稳定的电压放大器客户反馈 LOW NOISE, HIGH SLEW RATE, UNITY GAIN STABLE VOLTAGE FREEBACK AMPLIFIER | 当前型号 | |
型号: THS4275DRBT 品牌: 德州仪器 封装: SOIC 1.4GHz 1Channel 8Pin | 类似代替 | 低噪声,高转换速率,单位增益稳定的电压放大器客户反馈 LOW NOISE, HIGH SLEW RATE, UNITY GAIN STABLE VOLTAGE FREEBACK AMPLIFIER | THS4275DRBR和THS4275DRBT的区别 | |
型号: THS4211D 品牌: 德州仪器 封装: SOIC 1GHz 1Channel 8Pin | 功能相似 | Texas Instruments | THS4275DRBR和THS4211D的区别 | |
型号: THS4211DGK 品牌: 德州仪器 封装: MSOP 1GHz 1Channel 8Pin | 功能相似 | 低失真高速电压反馈放大器 LOW-DISTORTION HIGH-SPEED VOLTAGE FEEDBACK AMPLIFIER | THS4275DRBR和THS4211DGK的区别 |