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THS4631DR

THS4631DR

TI(德州仪器) 电子元器件分类

高电压，高压摆率，宽带FET输入运算放大器 HIGH-VOLTAGE, HIGH SLEW RATE, WIDEBAND FET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER

通用 放大器 1 电路 - 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
THS4631DR


德州仪器TI:
High Speed FET-Input Operational Amplifier


艾睿:
OP Amp Single GP ±15V/30V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
JFET/CMOSHigh Speed FET-Input Operational Amplifier OP Amp Single GP ±15V/30V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Single High Speed Amplifier ±15V/30V 8-Pin SOIC T/R


THS4631DR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 11.5 mA

电路数 1

通道数 1

耗散功率 1.1 W

共模抑制比 86 dB

输入补偿漂移 2.50 µV/K

带宽 210 MHz

转换速率 1.00 kV/μs

增益频宽积 210 MHz

输入补偿电压 260 µV

输入偏置电流 50 pA

可用通道 S

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

3dB带宽 325 MHz

增益带宽 210 MHz

耗散功率Max 1100 mW

共模抑制比Min 86 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

THS4631DR引脚图与封装图
THS4631DR引脚图

THS4631DR引脚图

THS4631DR封装图

THS4631DR封装图

THS4631DR封装焊盘图

THS4631DR封装焊盘图

在线购买THS4631DR
型号 制造商 描述 购买
THS4631DR TI 德州仪器 高电压，高压摆率，宽带FET输入运算放大器 HIGH-VOLTAGE, HIGH SLEW RATE, WIDEBAND FET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER 搜索库存
替代型号THS4631DR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： THS4631DR

品牌： TI 德州仪器

封装： SOIC 8Pin 1kV/us 1Channel

当前型号

高电压，高压摆率，宽带FET输入运算放大器 HIGH-VOLTAGE, HIGH SLEW RATE, WIDEBAND FET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER

当前型号

型号： THS4631DE4

品牌： 德州仪器

封装： SOIC 325MHz 1Channel 8Pin

完全替代

高速 FET 输入运算放大器 8-SOIC -40 to 85

THS4631DR和THS4631DE4的区别

型号： THS4631D

品牌： 德州仪器

封装： SOIC 325MHz 1Channel 8Pin

类似代替

TEXAS INSTRUMENTS  THS4631D..  芯片, 高速运算放大器, 210MHZ, 1000V/uS, SOIC-8

THS4631DR和THS4631D的区别

型号： THS4631DDA

品牌： 德州仪器

封装： SOIC 325MHz 1Channel 8Pin

类似代替

TEXAS INSTRUMENTS  THS4631DDA  运算放大器, 单路, 210 MHz, 1个放大器, 1000 V/µs, ± 5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚

THS4631DR和THS4631DDA的区别