TLP781GB,F
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Toshiba
东芝
电子元器件分类
TLP781GB,F中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 2µs, 3µs
通道数 1
正向电压 1.15 V
耗散功率 250 mW
上升时间 2 µs
隔离电压 5000 Vrms
正向电流 60 mA
输出电压Max 80 V
击穿电压 5 V
正向电压Max 1.3 V
正向电流Max 60 mA
下降时间 3 µs
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 PDIP-4
外形尺寸
长度 4.6 mm
宽度 6.5 mm
高度 3.5 mm
封装 PDIP-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 110℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
TLP781GB,F引脚图与封装图
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在线购买TLP781GB,F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TLP781GB,F | Toshiba 东芝 | TLP781GB,F 管装 | 搜索库存 |
替代型号TLP781GB,F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TLP781GB,F 品牌： Toshiba 东芝 封装： PDIP | 当前型号 | TLP781GB,F 管装 | 当前型号 |
| 型号： TLP785GB,F 品牌： 东芝 封装： DIP4TLP785 | 功能相似 | Optocoupler DC-IN 1CH Transistor DC-OUT 4Pin PDIP | TLP781GB,F和TLP785GB,F的区别 |