TF252TH-5-TL-H中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 20.0 V
极性 N-Channel
耗散功率 100 mW
输入电容Ciss 3.1pF @2VVds
额定功率Max 100 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SMD-3
外形尺寸
长度 1.4 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.34 mm
封装 SMD-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
TF252TH-5-TL-H引脚图与封装图
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在线购买TF252TH-5-TL-H
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TF252TH-5-TL-H | ON Semiconductor 安森美 | N 通道 JFET，ON Semiconductor ### JFET 晶体管 一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。 | 搜索库存 |
替代型号TF252TH-5-TL-H
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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