SI1403DL-T1-E3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI1403DL-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 180 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 625 mW
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 1.40 A
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-363
外形尺寸
封装 SOT-363
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI1403DL-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1403DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 20V 1.5A | 搜索库存 |
替代型号SI1403DL-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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