FDG330P、SI1403DL-T1-E3、FDG316P对比区别
型号 FDG330P SI1403DL-T1-E3 FDG316P
描述 ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDG330P, 2 A, Vds=12 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装MOSFET 20V 1.5APowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 - 6
封装 SC-70 SOT-363 SC-70-6
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 1.60 A
通道数 - - 1
针脚数 6 - 6
漏源极电阻 0.084 Ω 180 mΩ 190 mΩ
极性 - P-Channel P-Channel
耗散功率 0.75 W 625 mW 750 mW
输入电容 - - 165 pF
栅电荷 - - 3.50 nC
漏源极电压(Vds) 12 V - 30 V
漏源击穿电压 - - 30 V
栅源击穿电压 - ±12.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 1.40 A 1.60 A
上升时间 11 ns - 9 ns
输入电容(Ciss) 477pF @6V(Vds) - 165pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 480 mW - 480 mW
下降时间 18 ns - 2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 750 mW - 750mW (Ta)
阈值电压 700 mV - -
长度 2 mm - 2 mm
宽度 1.25 mm - 1.25 mm
高度 1 mm - 1 mm
封装 SC-70 SOT-363 SC-70-6
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99