SI1070X-T1-E3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
耗散功率 236mW Ta
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 385pF @15VVds
耗散功率Max 236mW Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SC-89-6
封装 SC-89-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI1070X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI1070X-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SOT-563 | 当前型号 | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F | 当前型号 | |
型号: SI1070X-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SOT-563 N-Channel 30V 1.2A | 完全替代 | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F | SI1070X-T1-E3和SI1070X-T1-GE3的区别 | |
型号: SI1072X-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SC-89 | 类似代替 | MOSFET N-CH 30V SC89 | SI1070X-T1-E3和SI1072X-T1-GE3的区别 |