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SI1070X-T1-E3、SI1072X-T1-GE3、SI1070X-T1-GE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI1070X-T1-E3 SI1072X-T1-GE3 SI1070X-T1-GE3

描述 MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563FMOSFET N-CH 30V SC89MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-89-6 SC-89-6 SC-89-6

引脚数 - - 6

耗散功率 236mW (Ta) 236mW (Ta) 236mW (Ta)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 385pF @15V(Vds) 280pF @15V(Vds) 385pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 236mW (Ta) 236mW (Ta) 236mW (Ta)

极性 - - N-Channel

连续漏极电流(Ids) - - 1.20 A

封装 SC-89-6 SC-89-6 SC-89-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅