耗散功率 1.3W Ta
漏源极电压Vds 20 V
耗散功率Max 1.3W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 1206
封装 1206
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
SI5401DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: SI5401DC-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: | 当前型号 | MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8 | 当前型号 | |
型号: SI5443DC-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 1206 P-Channel 3.6A to 3.6A 65mΩ | 完全替代 | MOSFET 20V 4.9A 2.5W | SI5401DC-T1-E3和SI5443DC-T1-E3的区别 | |
型号: SI5461EDC-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 1206 | 完全替代 | MOSFET 20V 6.2A 2.5W 45mohm @ 4.5V | SI5401DC-T1-E3和SI5461EDC-T1-GE3的区别 | |
型号: SI5441DC-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 1206-8 | 完全替代 | MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8 | SI5401DC-T1-E3和SI5441DC-T1-E3的区别 |