SI5401DC-T1-E3、SI5443DC-T1-E3、SI5441BDC-T1-E3对比区别

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型号 SI5401DC-T1-E3 SI5443DC-T1-E3 SI5441BDC-T1-E3

描述 MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8MOSFET 20V 4.9A 2.5WMOSFET, Power; P-Ch; VDSS -20V; RDS(ON) 0.036Ω; ID -4.4A; 1206-8 ChipFET; PD 1.3W

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 1206 1206 1206

引脚数 - - 8

封装(公制) - 3216 -

耗散功率 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -

耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)

漏源极电阻 - 65.0 mΩ 0.036 Ω

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

极性 - P-Channel -

栅源击穿电压 - ±12.0 V -

连续漏极电流(Ids) - -3.60 A to 3.60 A -

封装 1206 1206 1206

长度 - 3.05 mm 3.1 mm

宽度 - 1.65 mm -

高度 - 1.1 mm -

封装(公制) - 3216 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free