SI4816DY-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI4816DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 22.0 mΩ
极性 Dual N-Channel
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds 30 V
栅源击穿电压 20.0 V
连续漏极电流Ids 5.30 A
额定功率Max 1W, 1.25W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4816DY-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI4816DY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4816DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | DUAL N CH/SCHOTTKY MOSFET, 30V SOIC; Transistor Polarity: N Channel + Schottky; Continuous Drain Current Id, N Channe... | 搜索库存 |
替代型号SI4816DY-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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