SI4816BDY-T1-E3、SI4816DY-T1-E3、SI4816DY-T1对比区别

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型号 SI4816BDY-T1-E3 SI4816DY-T1-E3 SI4816DY-T1

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8Pin SOIC N T/RDUAL N CH/SCHOTTKY MOSFET, 30V SOIC; Transistor Polarity: N Channel + Schottky; Continuous Drain Current Id, N Channe...Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

漏源击穿电压 30 V - 30.0 V

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

漏源极电阻 - 22.0 mΩ 22.0 mΩ

极性 - Dual N-Channel N-Channel

耗散功率 - 1.25 W 1.25 W

栅源击穿电压 - 20.0 V 20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 5.30 A 6.30 A

额定功率(Max) - 1W, 1.25W -

长度 5 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -