SIA418DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 3500 mW
输入电容Ciss 570pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3500 mW
封装参数
引脚数 6
封装 PowerPAK-SC70-6
外形尺寸
高度 0.75 mm
封装 PowerPAK-SC70-6
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIA418DJ-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SIA418DJ-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIA418DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET 30V 12A 19W 18mohm @ 10V | 搜索库存 |