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SMMBFJ310LT3G

SMMBFJ310LT3G

数据手册.pdf

MMBFJ310L: N 沟道 JFET 晶体管

RF Mosfet N 通道 JFET 10 V 10 mA - 12dB - SOT-23-3（TO-236）


得捷:
RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23


立创商城:
N 沟道 JFET 晶体管


贸泽:
JFET SS JFET XSTR SPCL


艾睿:
This SMMBFJ310LT3G JFET from ON Semiconductor can be used as an electrical switch, amplifier, or voltage-controlled resistor by utilizing a diode-like structure. Its maximum power dissipation is 225 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This junction field effect transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.


安富利:
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R


SMMBFJ310LT3G中文资料参数规格
技术参数

额定电流 10 mA

无卤素状态 Halogen Free

耗散功率 225 mW

栅源击穿电压 25 V

增益 12 dB

测试电流 10 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

额定电压 25 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SMMBFJ310LT3G引脚图与封装图
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在线购买SMMBFJ310LT3G
型号 制造商 描述 购买
SMMBFJ310LT3G ON Semiconductor 安森美 MMBFJ310L: N 沟道 JFET 晶体管 搜索库存
替代型号SMMBFJ310LT3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SMMBFJ310LT3G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： SOT-23-3 225mW

当前型号

MMBFJ310L: N 沟道 JFET 晶体管

当前型号

型号： MMBFJ310LT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 N-Channel 25V 10mA 225mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MMBFJ310LT1G  晶体管, JFET, JFET, -25 V, 24 mA, 60 mA, -6.5 V, SOT-23, JFET

SMMBFJ310LT3G和MMBFJ310LT1G的区别

型号： MMBFU310LT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 N-Channel 25V 10mA 225mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MMBFU310LT1G  晶体管, JFET, JFET, 25 V, 24 mA, 60 mA, 6 V, SOT-23, JFET

SMMBFJ310LT3G和MMBFU310LT1G的区别