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MUBW15-12A7

MUBW15-12A7

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IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 105000mW 24Pin E2-Pack

This secure and fast infineon IGBT module from Ixys Corporation is perfect for your circuit. Its maximum power dissipation is 105000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 1200 V. This IGBT driver board has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C. It is made in a hex configuration.


得捷:
IGBT MODULE 1200V 35A 180W E2


艾睿:
This secure and fast MUBW15-12A7 infineon IGBT module from Ixys Corporation is perfect for your circuit. Its maximum power dissipation is 105000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 1200 V. This IGBT driver board has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C. It is made in a hex configuration.


Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 180000mW 24-Pin E2-Pack


MUBW15-12A7中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 105000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 1nF @25V

额定功率Max 180 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 105000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 24

封装 E2-Pack

外形尺寸

封装 E2-Pack

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MUBW15-12A7引脚图与封装图
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在线购买MUBW15-12A7
型号 制造商 描述 购买
MUBW15-12A7 IXYS Semiconductor Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 105000mW 24Pin E2-Pack 搜索库存
替代型号MUBW15-12A7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MUBW15-12A7

品牌: IXYS Semiconductor

封装: E2 105000mW

当前型号

Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 105000mW 24Pin E2-Pack

当前型号

型号: MUBW10-12A7

品牌: IXYS Semiconductor

封装: 1.6kV 19A 105000mW

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