MUBW10-12A7、MUBW15-12A7、BSM25GP120对比区别

高亮显示差异参数

型号 MUBW10-12A7 MUBW15-12A7 BSM25GP120

描述 Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 105000mW 24Pin E2-PackTrans IGBT Module N-CH 1200V 35A 105000mW 24Pin E2-PackIGBT 模块，Infineon**Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Chassis Chassis Screw

引脚数 24 24 24

封装 E2-Pack E2-Pack EconoPIM-2

耗散功率 105000 mW 105000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V -

输入电容(Cies) .6nF @25V 1nF @25V -

额定功率(Max) 105 W 180 W -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 105000 mW 105000 mW 230 W

额定电压(DC) 1.60 kV - -

额定电流 19.0 A - -

封装 E2-Pack E2-Pack EconoPIM-2

长度 - - 107.5 mm

宽度 - - 45 mm

高度 - - 17 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -