MTD6P10E中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -100 V
额定电流 -6.00 A
极性 P-CH
耗散功率 1.75W Ta, 50W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
上升时间 29 ns
输入电容Ciss 840pF @25VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.75W Ta, 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Rail
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MTD6P10E引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MTD6P10E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MTD6P10E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-252 P-CH 100V 6A | 当前型号 | DPAK P-CH 100V 6A | 当前型号 |
| 型号： MTD6N20ET4G 品牌： 安森美 封装： TO-252 N-Channel 200V 6A 460mohms 480pF | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MTD6N20ET4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 200 V, 0.46 ohm, 10 V, 3 V | MTD6P10E和MTD6N20ET4G的区别 |
| 型号： MTD5P06VT4G 品牌： 安森美 封装： TO-252 P-Channel 60V 5A 450mohms 510pF | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MTD5P06VT4G 晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -60 V, 0.34 ohm, 10 V, 2.8 V | MTD6P10E和MTD5P06VT4G的区别 |
| 型号： MTD6N20ET4 品牌： 安森美 封装： TO-252 N-Channel 200V 6A 460mΩ | 功能相似 | 功率MOSFET 6安培， 200伏特N沟道DPAK Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N−Channel DPAK | MTD6P10E和MTD6N20ET4的区别 |