MJL21194G中文资料参数规格
技术参数
频率 4 MHz
额定电压DC 250 V
额定电流 16.0 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 200 W
增益频宽积 4 MHz
击穿电压集电极-发射极 250 V
热阻 0.7℃/W RθJC
集电极最大允许电流 16A
最小电流放大倍数hFE 25
最大电流放大倍数hFE 75
额定功率Max 200 W
直流电流增益hFE 75
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 20.3 mm
宽度 5.3 mm
高度 29 mm
封装 TO-264-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Consumer Electronics, 消费电子产品, Signal Processing, Audio, 音频, 信号处理, Professional audio amplifiers
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJL21194G引脚图与封装图 
MJL21194G引脚图
MJL21194G封装焊盘图
在线购买MJL21194G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJL21194G | ON Semiconductor 安森美 | NPN 功率晶体管，ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 搜索库存 |
替代型号MJL21194G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJL21194G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-264 NPN 250V 16A 200000mW | 当前型号 | NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 当前型号 |
| 型号： MJL21196G 品牌： 安森美 封装： TO-264 NPN 250V 16A 200000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJL21196G. 双极性晶体管, NPN, 250V | MJL21194G和MJL21196G的区别 |
| 型号： MJL21194 品牌： 安森美 封装： TO-264 NPN 250V 16A 200W | 类似代替 | 互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | MJL21194G和MJL21194的区别 |
| 型号： 2SC5200-0 品牌： Magnatec 封装： TO-264 NPN | 功能相似 | MAGNATEC 2SC5200-0 单晶体管 双极, NPN, 230 V, 30 MHz, 150 W, 15 A, 60 hFE | MJL21194G和2SC5200-0的区别 |