MCH4014-TL-H中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.35 W
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 18 dB
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 5V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SMD-4
外形尺寸
封装 SMD-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MCH4014-TL-H引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MCH4014-TL-H
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
MCH4014-TL-H | ON Semiconductor 安森美 | 射频RF双极晶体管 HIGH FREQUENCY AMPLIFIER | 搜索库存 |