
耗散功率 55 W
输出功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 33 V
增益 11 dB
最小电流放大倍数hFE 20 @1A, 5V
额定功率Max 20 W
安装方式 Chassis
封装 244-04
封装 244-04
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MRF323 品牌: M/A-Com 封装: 244-04 | 当前型号 | RF功率晶体管NPN硅 RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON | 当前型号 | |
型号: B2013 品牌: Ericsson Microelectronics 封装: | 功能相似 | RF Power Bipolar Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | MRF323和B2013的区别 | |
型号: SD1143 品牌: Advanced Semiconductor 封装: | 功能相似 | RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN | MRF323和SD1143的区别 |