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MMBT4403LT3G

MMBT4403LT3G

数据手册.pdf

NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

通用 NPN ,最大 1A,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
ON Semiconductor MMBT4403LT3G , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:20, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装


得捷:
TRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 600mA 40V PNP


艾睿:
Thanks to ON Semiconductor, your circuit can handle high levels of voltage using the PNP MMBT4403LT3G general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.


Allied Electronics:
Transistor PNP 40V 600mA Switching SOT23


安富利:
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBT4403LT3G  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 40 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 100 hFE


DeviceMart:
TRANS PNP GP 40V 600MA SOT-23


Win Source:
TRANS PNP 40V 0.6A SOT-23


MMBT4403LT3G中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

额定电压DC -40.0 V

额定电流 600 mA

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 2.64 mm

高度 1.11 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBT4403LT3G引脚图与封装图
MMBT4403LT3G引脚图

MMBT4403LT3G引脚图

MMBT4403LT3G封装焊盘图

MMBT4403LT3G封装焊盘图

在线购买MMBT4403LT3G
型号 制造商 描述 购买
MMBT4403LT3G ON Semiconductor 安森美 NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 搜索库存
替代型号MMBT4403LT3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBT4403LT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 PNP -40V 600mA 300mW

当前型号

NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

当前型号

型号: MMBT4403LT3

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP -40V 600mA

完全替代

开关晶体管( PNP硅) Switching TransistorPNP Silicon

MMBT4403LT3G和MMBT4403LT3的区别

型号: MMBT4403LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP -40V -600mA 300mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MMBT4403LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 200 MHz, 300 mW, -600 mA, 200 hFE

MMBT4403LT3G和MMBT4403LT1G的区别

型号: SMMBT4403LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP 300mW

类似代替

NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

MMBT4403LT3G和SMMBT4403LT1G的区别