IXFK55N50
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFK55N50中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 55.0 A
通道数 1
漏源极电阻 90 mΩ
耗散功率 560 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 55.0 A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 9400pF @25VVds
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 625W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFK55N50引脚图与封装图
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在线购买IXFK55N50
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFK55N50 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 50A 3Pin3+Tab TO-264AA | 搜索库存 |
替代型号IXFK55N50
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFK55N50 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 500V 55A 90mΩ | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 500V 50A 3Pin3+Tab TO-264AA | 当前型号 |
| 型号： STW20NK50Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 500V 17A 270mΩ | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | IXFK55N50和STW20NK50Z的区别 |
| 型号： APT56M50L 品牌： 美高森美 封装： TO-264 500V 56A 8.8nF | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 500V 56A 3Pin3+Tab TO-264 | IXFK55N50和APT56M50L的区别 |