FDB86360-F085

ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

N沟道 80V 110A

表面贴装型 N 通道 110A（Tc） 333W（Tc） D²PAK（TO-263AB）

得捷:
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK

立创商城:
FDB86360-F085

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

FDB86360-F085中文资料参数规格

技术参数

上升时间 197 ns

输入电容Ciss 14600pF @25VVds

下降时间 70 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 333000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 D2PAK-263

外形尺寸

封装 D2PAK-263

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FDB86360-F085引脚图与封装图

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