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ZXT12P40DXTA

ZXT12P40DXTA

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

ZXT12P40DX 系列 PNP 40 V 2 A 1.25 W 双 硅 开关晶体管 - MSOP-8

- 双极 BJT - 阵列 2 PNP(双) 40V 2A 130MHz 1.04W 表面贴装型 8-MSOP


得捷:
TRANS 2PNP 40V 2A 8MSOP


立创商城:
2个PNP 50V 2A


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Dual 400V PNP


艾睿:
Diodes Zetex brings you the solution to your high-voltage BJT needs with their PNP ZXT12P40DXTA general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 7.5 V. Its maximum power dissipation is 1250 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 7.5 V.


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 40V 2A 8-Pin MSOP T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 40V 2A Automotive 8-Pin MSOP T/R


DeviceMart:
TRANS PNP DL LS -40V -2A 8-MSOP


Win Source:
TRANS 2PNP 40V 2A 8MSOP


ZXT12P40DXTA中文资料参数规格
技术参数

频率 130 MHz

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -2.00 A

额定功率 1.04 W

极性 PNP

耗散功率 0.87 W

增益频宽积 130 MHz

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 300 @1A, 2V

最大电流放大倍数hFE 300 @10mA, 2V

额定功率Max 1.04 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 MSOP-8

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 3.1 mm

高度 0.95 mm

封装 MSOP-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

ZXT12P40DXTA引脚图与封装图
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ZXT12P40DXTA Diodes 美台 ZXT12P40DX 系列 PNP 40 V 2 A 1.25 W 双 硅 开关晶体管 - MSOP-8 搜索库存