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ZTX653STZ
Diodes(美台) 分立器件

ZTX653 系列 NPN 2 A 100 V 硅 平面 中等功率晶体管 - TO-92-3

Bipolar BJT Transistor NPN 100V 2A 175MHz 1W Through Hole E-Line TO-92 compatible


得捷:
TRANS NPN 100V 2A E-LINE


艾睿:
Compared to other transistors, the NPN ZTX653STZ general purpose bipolar junction transistor, developed by Diodes Zetex, can offer a high-voltage solution in your circuit. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 200 °C.


Allied Electronics:
Medium Pwr; NPN; Transistor; 2A; 100V; E-Line


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 1W; TO92


儒卓力:
**NPN TRANS. 100V 2A TO92E-LINE **


ZTX653STZ中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 2.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 2A

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

宽度 2.41 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

ZTX653STZ引脚图与封装图
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在线购买ZTX653STZ
型号 制造商 描述 购买
ZTX653STZ Diodes 美台 ZTX653 系列 NPN 2 A 100 V 硅 平面 中等功率晶体管 - TO-92-3 搜索库存
替代型号ZTX653STZ
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ZTX653STZ

品牌: Diodes 美台

封装: TO-92 NPN 100V 2A

当前型号

ZTX653 系列 NPN 2 A 100 V 硅 平面 中等功率晶体管 - TO-92-3

当前型号

型号: ZTX653

品牌: 美台

封装: TO-92 NPN 100V 2A 1000mW

完全替代

ZTX653 系列 NPN 2 A 100 V 硅 平面 中等功率 晶体管 - TO-92-3

ZTX653STZ和ZTX653的区别

型号: BCX38C

品牌: 美台

封装: TO-92-3 NPN 60V 800mA 1000mW

类似代替

BCX38C 编带

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型号: ZTX603STZ

品牌: 美台

封装: TO-92 NPN 80V 1A 1000mW

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