ZXMD63C02XTC
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
ZXMD63C02XTC中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
漏源极电阻 150 mΩ
极性 N+P
耗散功率 870 mW
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 2.4A/1.7A
输入电容Ciss 350pF @15VVds
额定功率Max 1.04 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSSOP-8
外形尺寸
封装 TSSOP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ZXMD63C02XTC引脚图与封装图
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在线购买ZXMD63C02XTC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZXMD63C02XTC | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP | 搜索库存 |
替代型号ZXMD63C02XTC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZXMD63C02XTC 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 8-TSSOP N+P 20V 2.4A 1.7A | 当前型号 | MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP | 当前型号 |
| 型号： IRF7507TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N+P 20V 2.4A 1.7A | 功能相似 | INFINEON IRF7507TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.4 A, 20 V, 0.085 ohm, 4.5 V, 700 mV | ZXMD63C02XTC和IRF7507TRPBF的区别 |