WPB4002-1E

ON Semiconductor(安森美) 分立器件

TO-3P N-CH 600V 23A

通孔 N 通道 23A（Ta） 2.5W（Ta），220W（Tc） TO-3P-3L

得捷:
MOSFET N-CH 600V 23A TO3P-3L

贸泽:
MOSFET N-CH Pwr MOSFET 600V 23A 0.36Ohm

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube

WPB4002-1E中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.5W Ta, 220W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 23A

上升时间 130 ns

输入电容Ciss 2200pF @30VVds

下降时间 84 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 220W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

WPB4002-1E引脚图与封装图

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