VQ1001P-2
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
主动器件
VQ1001P-2中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 110pF @15VVds
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DIP-14
外形尺寸
封装 DIP-14
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
VQ1001P-2引脚图与封装图
暂无图片
替代型号VQ1001P-2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VQ1001P-2 品牌： Vishay Siliconix 封装： PDIP-14 | 当前型号 | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | 当前型号 |
| 型号： VQ1001P 品牌： Vishay Siliconix 封装： CDIP-14 N-Channel 1.3W | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 30V 0.83A 14Pin SBCDIP | VQ1001P-2和VQ1001P的区别 |
| 型号： VN3205P-G 品牌： 超科 封装： | 功能相似 | MOSFET Power N-CHNL MOSFET ENHANCEMENT-MODE | VQ1001P-2和VN3205P-G的区别 |
