VQ1001P、VQ1001P-2、VQ1001J对比区别

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型号 VQ1001P VQ1001P-2 VQ1001J

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 0.83A 14Pin SBCDIPMOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIPPower Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Intertechnology

分类 晶体管晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 14 - -

封装 DIP-14 DIP-14 -

漏源极电阻 1.00 Ω - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 2 W - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

漏源击穿电压 30.0 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 3.00 A - -

输入电容(Ciss) 110pF @15V(Vds) 110pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 2 W 2 W -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 DIP-14 DIP-14 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube - -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -