VSMB2020X01
数据手册.pdfVishay Semiconductor(威世)
电子元器件分类
VSMB2020X01中文资料参数规格
技术参数
工作电压 1.15V ~ 1.6V
额定功率 160 mW
上升/下降时间 0.015 µs
针脚数 2
正向电压 1.35 V
波长 940 nm
视角 12°
峰值波长 940 nm
耗散功率 160 mW
上升时间 15 ns
测试电流 100 mA
正向电流 100 mA
正向电压Max 1.35 V
正向电流Max 100 mA
下降时间 15 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 160 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMD-2
外形尺寸
高度 2.77 mm
封装 SMD-2
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Communications & Networking, 电机驱动与控制, Motor Drive & Control, 通信与网络, 车用, Automotive
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
VSMB2020X01引脚图与封装图
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在线购买VSMB2020X01
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VSMB2020X01 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY VSMB2020X01 红外发射器, 高速, 12 °, 100 mA, 1.35 V, 15 ns, 15 ns | 搜索库存 |
替代型号VSMB2020X01
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VSMB2020X01 品牌： VISHAY 威世 封装： SMD | 当前型号 | 高速红外发光二极管， 940纳米， GaAlAs的， DH High Speed Infrared Emitting Diodes, 940 nm, GaAlAs, DH | 当前型号 |
| 型号： TSML1020 品牌： 威世 封装： 2-SMD | 功能相似 | 高功率红外发光二极管，符合RoHS ， 940纳米，砷化镓铝/砷化镓 High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs | VSMB2020X01和TSML1020的区别 |