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TSML1020、VSMB2020X01、QEB373GR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TSML1020 VSMB2020X01 QEB373GR

描述 高功率红外发光二极管,符合RoHS , 940纳米,砷化镓铝/砷化镓 High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs高速红外发光二极管, 940纳米, GaAlAs的, DH High Speed Infrared Emitting Diodes, 940 nm, GaAlAs, DHFairchild QEB363 和 QEB373 系列红外 LEDFairchild Semiconductor 的 QEB363 和 QEB373 系列是红外线 (IR) 发光二极管,采用微型塑料封装。 它们具有工业标准封装尺寸 T-3/4 (2mm),带无色透明透镜。 它们具有各种引线选件,包括海鸥翼、轭和 Z 弯曲。 QEB363 和 QEB373 系列红外 LED 从窄发射光束角提供高辐射强度。 QEB363 和 QEB373 系列的特点: T-3/4 (2mm) 表面安装 (SMT) 封装 各种引线类型:海鸥翼,Z 弯曲 狭窄发射角:24° 波长 = 875nm (QEB373),940nm (QEB363) 无色透镜 高辐射强度 ### 红外线 (IR) 发射器,Fairchild Semiconductor

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 LEDLED光源与发射器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SMD-2 SMD SMD-2

电源电压(DC) 1.80 V - -

额定电压(DC) 1.20 V - -

工作电压 1.3V ~ 1.5V 1.15V ~ 1.6V 1.70 V

上升/下降时间 0.8 µs 0.015 µs -

针脚数 2 2 2

正向电压 1.2 V 1.35 V 1.7 V

波长 940 nm 940 nm 880 nm

视角 12° 12° 24°

峰值波长 950 nm 940 nm 875 nm

耗散功率 190 W 160 W 100 W

上升时间 800 ns 15 ns -

测试电流 20 mA 100 mA 100 mA

正向电流 20 mA 100 mA 50 mA

正向电压(Max) 1.2 V 1.35 V -

正向电流(Max) 100 mA 100 mA 50 mA

下降时间 800 ns 15 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 100 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 190 mW 160 mW 100 mW

额定功率 - - 100 mW

高度 2.7 mm 2.77 mm 3 mm

脚长度 300 µm - -

封装 SMD-2 SMD SMD-2

长度 - - 2.7 mm

宽度 - - 2.2 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 100℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99