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VND14NV04TR-E

VND14NV04TR-E

数据手册.pdf

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronics

OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。

线性电流限制

热关闭

短路保护

ESD 保护

一体式夹

### 智能电源开关,STMicroelectronics


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK


欧时:
### OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics


立创商城:
VND14NV04TR E


e络盟:
电源负载分配开关, 低压侧, 40 V输入, 18 A, 0.035 ohm, 1输出, TO-252-3


艾睿:
It&s;s easy to keep your circuit safe from high voltages with this simple low side VND14NV04TR-E power switch by STMicroelectronics. This charge controller has single output. It features 0.035Max Ohm switch on resistance. This device has a maximum power dissipation of 74000 mW. Its maximum power dissipation is 74000 mW. This device has a supply current of 0.1 mA and a minimum output current of 12 A. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment.


安富利:
Power Switch Lo Side 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
VND14NV04 单 低压侧 自动保护 40 V 12 A 35 mOhm 功率MOSFET - D2PAK


Chip1Stop:
Power Switch Lo Side 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 24A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


儒卓力:
**LSS 35mOhm 45V TO252-3 SMD **


DeviceMart:
MOSFET OMNIFET 40V 12A DPAK


Win Source:
MOSFET OMNIFET 40V 12A DPAK


VND14NV04TR-E中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

输出电流 18 A

供电电流 0.1 mA

针脚数 3

漏源极电阻 35.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 74 W

漏源击穿电压 40.0 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

输出电流Max 12 A

输出电流Min 12 A

输入数 1

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 74000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 5.1 mm

宽度 4.7 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

VND14NV04TR-E引脚图与封装图
VND14NV04TR-E引脚图

VND14NV04TR-E引脚图

VND14NV04TR-E封装图

VND14NV04TR-E封装图

VND14NV04TR-E封装焊盘图

VND14NV04TR-E封装焊盘图

在线购买VND14NV04TR-E
型号 制造商 描述 购买
VND14NV04TR-E ST Microelectronics 意法半导体 OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronics OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。 线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics 搜索库存
替代型号VND14NV04TR-E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: VND14NV04TR-E

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252

当前型号

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics

当前型号

型号: VND14NV04-E

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 7A 35mΩ

类似代替

STMICROELECTRONICS  VND14NV04-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 55 V, 35 mohm, 5 V, 2.5 V

VND14NV04TR-E和VND14NV04-E的区别

型号: VND14NV04

品牌: 意法半导体

封装: DPAK

类似代替

“ OMNIFET II ” :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

VND14NV04TR-E和VND14NV04的区别

型号: VND14NV0413TR

品牌: 意法半导体

封装: DPAK

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“ OMNIFET II ” :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

VND14NV04TR-E和VND14NV0413TR的区别