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VSMB10940

VSMB10940

数据手册.pdf
Vishay Semiconductor(威世) 电子元器件分类

VISHAY  VSMB10940  红外发射器, 940NM, SMD

The is a 940nm side looking Infrared Emitting Diode in GaAlAs multi quantum well MQW technology. It is moulded in clear, untinted plastic package with lens for surface mounting SMD.

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High speed
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High reliability
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High radiant power
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High radiant intensity
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ϕ = ±75° Angle of half sensitivity
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Low forward voltage
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Package matches with detector VEMD10940F
VSMB10940中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 0.015 µs

正向电压 1.3 V

波长 940 nm

视角 150°

峰值波长 940 nm

耗散功率 104 mW

上升时间 15 ns

测试电流 65 mA

正向电流 65 mA

正向电压Max 1.8 V

正向电流Max 65 mA

下降时间 15 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 104 mW

封装参数

引脚数 2

封装 SMD-2

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SMD-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Sensing & Instrumentation, Automation & Process Control, Consumer Electronics, Industrial, Communications & Networking

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

VSMB10940引脚图与封装图
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在线购买VSMB10940
型号 制造商 描述 购买
VSMB10940 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  VSMB10940  红外发射器, 940NM, SMD 搜索库存
替代型号VSMB10940
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： VSMB10940

品牌： VISHAY 威世

封装： 150°

当前型号

高速红外发光二极管， 940纳米， GaAlAs的， MQW High Speed Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW

当前型号

型号： VSMG10850

品牌： 威世

封装：

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新VSMG10850和VSMB10940红外发射器和VEMD10940F硅PIN光电二极管 New VSMG10850 and VSMB10940 Infrared Emitters and VEMD10940F Silicon PIN Photodiode

VSMB10940和VSMG10850的区别