VSMB10940、VSMG10850对比区别

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型号 VSMB10940 VSMG10850

描述 高速红外发光二极管， 940纳米， GaAlAs的， MQW High Speed Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW新VSMG10850和VSMB10940红外发射器和VEMD10940F硅PIN光电二极管 New VSMG10850 and VSMB10940 Infrared Emitters and VEMD10940F Silicon PIN Photodiode

数据手册 --

制造商 VISHAY (威世) VISHAY (威世)

分类 光源与发射器发光二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2

封装 SMD-2 SMD

额定功率 0.104 W -

正向电压 1.3 V 1.35 V

波长 940 nm 850 nm

视角 150° 150°

峰值波长 940 nm 850 nm

耗散功率 104 mW 110 W

上升时间 15 ns 20 ns

测试电流 65 mA 65 mA

正向电流 65 mA 65 mA

正向电压(Max) 1.5 V 1.65 V

正向电流(Max) 65 mA 65 mA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 104 mW 110 mW

上升/下降时间 - 0.02 µs

针脚数 - 2

下降时间 - 20 ns

封装 SMD-2 SMD

高度 - 1 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99