VN2410LG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 240 V
额定电流 200 mA
漏源极电阻 10.0 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350mW Tc
漏源极电压Vds 240 V
漏源击穿电压 240 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 200 mA
输入电容Ciss 125pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350mW Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
封装 TO-92-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
VN2410LG引脚图与封装图
暂无图片
替代型号VN2410LG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VN2410LG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 N-Channel 240V 200mA 10ohms | 当前型号 | 小信号N沟道TO-92-3封装场效应管 | 当前型号 |
| 型号： VN2410L-G 品牌： 微芯 封装： TO-92 | 功能相似 | Supertex N 通道增强型模式 MOSFET 晶体管Microchip Supertex 系列 N 通道增强型模式（常闭）DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗，低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。### MOSFET 晶体管，Microchip | VN2410LG和VN2410L-G的区别 |