US6X8TR
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 270 @100mA, 2V
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SMD-6
封装 SMD-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: US6X8TR 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: TUMT NPN | 当前型号 | TUMT NPN 30V 1A | 当前型号 | |
型号: QSX8TR 品牌: 罗姆半导体 封装: SC-74 NPN 1250mW | 功能相似 | TSMT NPN 30V 1A | US6X8TR和QSX8TR的区别 |