UMA4NT1G中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 160
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-5
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-5
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
UMA4NT1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买UMA4NT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| UMA4NT1G | ON Semiconductor 安森美 | 双共发射极偏置电阻晶体管 Dual Common Emitter Bias Resistor Transistors | 搜索库存 |
替代型号UMA4NT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： UMA4NT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 5-TSSOP PNP | 当前型号 | 双共发射极偏置电阻晶体管 Dual Common Emitter Bias Resistor Transistors | 当前型号 |
| 型号： UMA4NT1 品牌： 安森美 封装： SOT-353 PNP -50V -100mA 150mW | 完全替代 | UMA4NT1 PNP+PNP复合带阻尼三极管 -50V -0.1A R1=10 KΩ HEF=100~600 150mW/0.15W SOT-353/UMT5/SC-88A/SC70-5 标记U04 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路 | UMA4NT1G和UMA4NT1的区别 |