UMB11NTN
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
UMB11NTN中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -50.0 mA
额定功率 0.15 W
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 20 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
UMB11NTN引脚图与封装图 
UMB11NTN引脚图
UMB11NTN封装图
UMB11NTN封装焊盘图
替代型号UMB11NTN
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： UMB11NTN 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-363 PNP -50V -50mA 0.15W | 当前型号 | UMB11NTN 编带 | 当前型号 |
| 型号： DDA114EU-7 品牌： 美台 封装： 6-TSSOP PNP 50V 100mA 200mW | 功能相似 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 6Pin SOT-363 T/R | UMB11NTN和DDA114EU-7的区别 |
| 型号： BCR183SE6327BTSA1 品牌： 英飞凌 封装： 6-VSSOP PNP | 功能相似 | SOT-363 PNP 50V 100mA | UMB11NTN和BCR183SE6327BTSA1的区别 |
| 型号： BCR183SE6433BTMA1 品牌： 英飞凌 封装： 6-VSSOP PNP | 功能相似 | SOT-363 PNP 50V 100mA | UMB11NTN和BCR183SE6433BTMA1的区别 |