UMZ1NT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 200 mA
极性 PNP
耗散功率 187 mW
集电极击穿电压 50.0 V
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 6V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
UMZ1NT1引脚图与封装图
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在线购买UMZ1NT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| UMZ1NT1 | ON Semiconductor 安森美 | 互补的双通用放大器晶体管 Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor | 搜索库存 |
替代型号UMZ1NT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： UMZ1NT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 6-TSSOP PNP 50V 200mA 187mW | 当前型号 | 互补的双通用放大器晶体管 Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor | 当前型号 |
| 型号： UMZ1NT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 NPN 50V 200mA 385mW | 类似代替 | 互补的双通用放大器晶体管 Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor | UMZ1NT1和UMZ1NT1G的区别 |