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UCC27211D

UCC27211D

TI(德州仪器) 主动器件

TEXAS INSTRUMENTS  UCC27211D  驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 17ns延迟, SOIC-8

MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments

### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments


欧时:
Texas Instruments UCC27211D 双 半桥 MOSFET 功率驱动器, 4A, 8 → 17 V电源, 8引脚 SOIC封装


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC


立创商城:
半桥 MOSFET 灌:4A 拉:4A


德州仪器TI:
4-A, 120-V half bridge gate driver with 8-V UVLO and TTL inputs


艾睿:
Driver 4.5A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC Tube


安富利:
MOSFET DRVR 4.5A 2-OUT Hi/Lo Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC Tube


Chip1Stop:
Driver 4.5A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC Tube


Verical:
Driver 4.5A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC Tube


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  UCC27211D  DVR, HIGH/LOW, SIDE, 4A, SOIC-8


UCC27211D中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 8.00V min

上升/下降时间 7.2ns, 5.5ns

输出接口数 2

针脚数 8

上升时间 600 ns

下降时间 400 ns

下降时间Max 400 ns

上升时间Max 600 ns

工作温度Max 140 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 8V ~ 17V

电源电压Max 17 V

电源电压Min 8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 140℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 通信与网络, 信号处理, 音频, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

UCC27211D引脚图与封装图
UCC27211D引脚图

UCC27211D引脚图

UCC27211D封装图

UCC27211D封装图

UCC27211D封装焊盘图

UCC27211D封装焊盘图

在线购买UCC27211D
型号 制造商 描述 购买
UCC27211D TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  UCC27211D  驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 17ns延迟, SOIC-8 搜索库存
替代型号UCC27211D
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: UCC27211D

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC 8V 8Pin

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  UCC27211D  驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 17ns延迟, SOIC-8

当前型号

型号: UCC27211DR

品牌: 德州仪器

封装:

完全替代

120 -V启动, 4 - A峰值,高频高侧和低侧驱动器 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver

UCC27211D和UCC27211DR的区别