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UCC27211DRMT

UCC27211DRMT

TI(德州仪器) 主动器件

TEXAS INSTRUMENTS  UCC27211DRMT  驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 17ns延迟, VSON-8

MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments

### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VSON


立创商城:
半桥 MOSFET 灌:4A 拉:4A


德州仪器TI:
4-A, 120-V half bridge gate driver with 8-V UVLO and TTL inputs


欧时:
Texas Instruments UCC27211DRMT 双 半桥 MOSFET 功率驱动器, 4A, 8 → 17 V电源, 8引脚 SON封装


贸泽:
门驱动器 120V Boot,4A Peak,Hi Freq Hi/Lo-Side Drvr


e络盟:
TEXAS INSTRUMENTS  UCC27211DRMT  驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 17ns延迟, VSON-8


艾睿:
Use this UCC27211DRMT power driver from Texas Instruments to power your transistors. Its typical operating supply voltage is 12 V. This device has a maximum propagation delay time of 40 ns. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This device has a typical operating supply voltage of 12 V. Its minimum operating supply voltage of 8 V, while its maximum is 17 V. This gate driver has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 140 °C.


安富利:
MOSFET DRVR 4.5A 2-OUT Hi/Lo Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin VSON EP T/R


Chip1Stop:
Driver 4.5A 2-OUT Hi/Lo Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin VSON EP T/R


Verical:
Driver 4.5A 2-OUT Hi/Lo Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin VSON EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  UCC27211DRMT  DVR, HIGH/LOW, SIDE, 4A, 8VSON


UCC27211DRMT中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 8.00V min

上升/下降时间 7.2ns, 5.5ns

输出接口数 2

输出电流 4 A

针脚数 8

上升时间 600 ns

下降时间 400 ns

下降时间Max 400 ns

上升时间Max 600 ns

工作温度Max 140 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 8V ~ 17V

电源电压Max 17 V

电源电压Min 8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON EP-8

外形尺寸

长度 4.1 mm

宽度 4.1 mm

高度 0.95 mm

封装 VSON EP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 140℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 电源管理, 信号处理, 音频, 通信与网络

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

UCC27211DRMT引脚图与封装图
UCC27211DRMT引脚图

UCC27211DRMT引脚图

UCC27211DRMT封装图

UCC27211DRMT封装图

UCC27211DRMT封装焊盘图

UCC27211DRMT封装焊盘图

在线购买UCC27211DRMT
型号 制造商 描述 购买
UCC27211DRMT TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  UCC27211DRMT  驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 17ns延迟, VSON-8 搜索库存
替代型号UCC27211DRMT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: UCC27211DRMT

品牌: TI 德州仪器

封装: Surface 8V 8Pin

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  UCC27211DRMT  驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 17ns延迟, VSON-8

当前型号

型号: UCC27211DRMR

品牌: 德州仪器

封装: Surface

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