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UCC27611DRVT

UCC27611DRVT

TI(德州仪器) 主动器件

TEXAS INSTRUMENTS  UCC27611DRVT  门驱动器, IGBT/MOSFET, 4V-18V电源, 8A输出, 14ns延迟, SON-6

磷化镓 MOSFET 栅极驱动器,Texas Instruments

Texas Instruments 系列高速栅极驱动器特别适合与新技术磷化镓 GaN MOSFET 一起使用。

### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments


欧时:
磷化镓 MOSFET 栅极驱动器,Texas InstrumentsTexas Instruments 系列高速栅极驱动器特别适合与新技术磷化镓 GaN MOSFET 一起使用。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON


立创商城:
UCC27611DRVT


德州仪器TI:
4-A/6-A single-channel gate driver with 4-V UVLO and 5-V regulated output


e络盟:
门驱动器, IGBT/MOSFET, 4V-18V电源, 8A输出, 14ns延迟, SON-6


艾睿:
Driver 8A 2-OUT High Speed Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R


安富利:
MOSFET DRVR 8A 2-OUT High Speed Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R


Chip1Stop:
Driver 8A 2-OUT High Speed Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R


Verical:
Driver 8A 2-OUT High Speed Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R


Newark:
MOSFET Driver High Side and Low Side, 4V-18V supply, 6A peak out, SON-6


UCC27611DRVT中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.00V min

上升/下降时间 5 ns

输出接口数 2

针脚数 6

上升时间 5 ns

下降时间 5 ns

下降时间Max 5 ns

上升时间Max 5 ns

工作温度Max 140 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4V ~ 18V

电源电压Max 18 V

电源电压Min 4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 WSON-6

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 2.1 mm

高度 0.75 mm

封装 WSON-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 140℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, 信号处理, 电源管理, 替代能源

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

UCC27611DRVT引脚图与封装图
UCC27611DRVT引脚图

UCC27611DRVT引脚图

UCC27611DRVT封装图

UCC27611DRVT封装图

UCC27611DRVT封装焊盘图

UCC27611DRVT封装焊盘图

在线购买UCC27611DRVT
型号 制造商 描述 购买
UCC27611DRVT TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  UCC27611DRVT  门驱动器, IGBT/MOSFET, 4V-18V电源, 8A输出, 14ns延迟, SON-6 搜索库存
替代型号UCC27611DRVT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: UCC27611DRVT

品牌: TI 德州仪器

封装: SON 4V 6Pin

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  UCC27611DRVT  门驱动器, IGBT/MOSFET, 4V-18V电源, 8A输出, 14ns延迟, SON-6

当前型号

型号: UCC27611DRVR

品牌: 德州仪器

封装: WSON-6 6Pin

完全替代

4 -A和6 -A高速5 - V驱动,优化的单闸极驱动器 4-A and 6-A High-Speed 5-V Drive, Optimized Single-Gate Driver

UCC27611DRVT和UCC27611DRVR的区别