UPA2735GR-E1-AT
数据手册.pdf
Renesas Electronics
瑞萨电子
分立器件
耗散功率 1.1W Ta
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 85 ns
输入电容Ciss 6250pF @10VVds
下降时间 400 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOP-8
封装 SOP-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
UPA2735GR-E1-AT引脚图
UPA2735GR-E1-AT封装图
UPA2735GR-E1-AT封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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UPA2735GR-E1-AT | Renesas Electronics 瑞萨电子 | P沟道MOSFET -30 V, -16 A, 5.0米 P-channel MOSFET -30 V, -16 A, 5.0 m | 搜索库存 |