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ULN2003AIN

ULN2003AIN

TI(德州仪器) 分立器件

TEXAS INSTRUMENTS  ULN2003AIN  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, DIP

The is an NPN Darlington Transistor Array each consists of seven NPN Darlington pairs that feature high-voltage outputs with common-cathode clamp diodes for switching inductive loads. The collector-current rating of a single Darlington pair is 500mA. The Darlington pairs can be paralleled for higher current capability. Applications include relay drivers, hammer drivers, lamp drivers, display drivers LED and gas discharge, line drivers and logic buffers.

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Output clamp diodes
ULN2003AIN中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 500 mA

输出接口数 7

输出电压 ≤50.0 V

针脚数 16

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

驱动器/包 7

集电极最大允许电流 0.5A

输出电流Max 500 mA

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 16

封装 PDIP-16

外形尺寸

长度 19.3 mm

宽度 6.35 mm

高度 4.57 mm

封装 PDIP-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 105℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

ULN2003AIN引脚图与封装图
ULN2003AIN引脚图

ULN2003AIN引脚图

ULN2003AIN封装图

ULN2003AIN封装图

ULN2003AIN封装焊盘图

ULN2003AIN封装焊盘图

在线购买ULN2003AIN
型号 制造商 描述 购买
ULN2003AIN TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  ULN2003AIN  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, DIP 搜索库存
替代型号ULN2003AIN
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ULN2003AIN

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC NPN 50V 500mA

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  ULN2003AIN  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, DIP

当前型号

型号: ULN2003AIDR

品牌: 德州仪器

封装: SOIC NPN 50V 500mA

完全替代

TEXAS INSTRUMENTS  ULN2003AIDR  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

ULN2003AIN和ULN2003AIDR的区别

型号: ULN2004ADR

品牌: 德州仪器

封装: SOIC NPN 50V 500mA

类似代替

TEXAS INSTRUMENTS  ULN2004ADR  晶体管阵列

ULN2003AIN和ULN2004ADR的区别

型号: ULQ2003AQDRQ1

品牌: 德州仪器

封装: SOIC NPN 50V 500mA 950mW

类似代替

TEXAS INSTRUMENTS  ULQ2003AQDRQ1  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 950 mW, 500 mA, SOIC

ULN2003AIN和ULQ2003AQDRQ1的区别