额定电压DC 50.0 V
额定电流 500 mA
输出接口数 7
输出电压 50 V
输出电流 0.6 A
通道数 7
针脚数 16
正向电压 1.70 V
输入电流 930 µA
极性 NPN
耗散功率 25 W
输入电容 15.0 pF
击穿电压集电极-发射极 50 V
驱动器/包 7
集电极最大允许电流 0.5A
输入电压Max 5 V
输出电压Max 50 V
输出电流Max 500 mA
直流电流增益hFE 600
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min -20 ℃
输入电压 30 V
安装方式 Through Hole
引脚数 16
封装 PDIP-16
长度 19.3 mm
宽度 6.35 mm
高度 4.57 mm
封装 PDIP-16
工作温度 -20℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
ULN2003AN引脚图
ULN2003AN封装图
ULN2003AN电路图
ULN2003AN封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ULN2003AN | TI 德州仪器 | TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AN 双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 500 mA, DIP | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ULN2003AN 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC NPN 50V 500mA | 当前型号 | TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AN 双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 500 mA, DIP | 当前型号 |
| 型号： ULN2004ADR 品牌： 德州仪器 封装： SOIC NPN 50V 500mA | 完全替代 | TEXAS INSTRUMENTS ULN2004ADR 晶体管阵列 | ULN2003AN和ULN2004ADR的区别 |
| 型号： ULN2003ADR 品牌： 德州仪器 封装： SOIC NPN 50V 500mA | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS ULN2003ADR 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC | ULN2003AN和ULN2003ADR的区别 |
| 型号： ULN2004AN 品牌： 德州仪器 封装： SOIC NPN 50V 500mA | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS ULN2004AN 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 350 mA, DIP | ULN2003AN和ULN2004AN的区别 |
