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ULN2004ADRE4

ULN2004ADRE4

TI(德州仪器) 分立器件

TEXAS INSTRUMENTS  ULN2004ADRE4  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

- 双极 BJT - 阵列 7 NPN 达林顿 50V 500mA - - 表面贴装型 16-SOIC


得捷:
IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC


立创商城:
ULN2004ADRE4


贸泽:
Darlington Transistors Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays


e络盟:
TEXAS INSTRUMENTS  ULN2004ADRE4  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC


艾睿:
Higher current yields within your circuit is what you will get with Texas Instruments&s; NPN ULN2004ADRE4 Darlington transistor. This product&s;s maximum continuous DC collector current is 0.5 A. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This Darlington transistor array has an operating temperature range of -20 °C to 70 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V.


Verical:
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  ULN2004ADRE4  Bipolar BJT Array Transistor, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000, SOIC


ULN2004ADRE4中文资料参数规格
技术参数

针脚数 16

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

驱动器/包 7

集电极最大允许电流 0.5A

直流电流增益hFE 1000

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min -20 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 SOIC-16

外形尺寸

长度 9.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 -20℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

ULN2004ADRE4引脚图与封装图
ULN2004ADRE4引脚图

ULN2004ADRE4引脚图

ULN2004ADRE4封装图

ULN2004ADRE4封装图

ULN2004ADRE4封装焊盘图

ULN2004ADRE4封装焊盘图

在线购买ULN2004ADRE4
型号 制造商 描述 购买
ULN2004ADRE4 TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  ULN2004ADRE4  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC 搜索库存
替代型号ULN2004ADRE4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ULN2004ADRE4

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC NPN

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  ULN2004ADRE4  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

当前型号

型号: ULN2003ADR

品牌: 德州仪器

封装: SOIC NPN 50V 500mA

完全替代

TEXAS INSTRUMENTS  ULN2003ADR  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

ULN2004ADRE4和ULN2003ADR的区别

型号: ULN2004ADR

品牌: 德州仪器

封装: SOIC NPN 50V 500mA

完全替代

TEXAS INSTRUMENTS  ULN2004ADR  晶体管阵列

ULN2004ADRE4和ULN2004ADR的区别

型号: ULN2004ADE4

品牌: 德州仪器

封装: SOIC NPN

完全替代

TEXAS INSTRUMENTS  ULN2004ADE4  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

ULN2004ADRE4和ULN2004ADE4的区别