THS3120IDG4
TI
德州仪器
主动器件
THS3120IDG4中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
耗散功率 1050 mW
共模抑制比 62 dB
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压Max 30 V
电源电压Min 10 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
THS3120IDG4引脚图与封装图
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在线购买THS3120IDG4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| THS3120IDG4 | TI 德州仪器 | Single, Low Noise, High Output Drive, 475mA Current-Feedback Amplifier with Power-down 8-SOIC -40℃ to 85℃ | 搜索库存 |
替代型号THS3120IDG4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： THS3120IDG4 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC-8 | 当前型号 | Single, Low Noise, High Output Drive, 475mA Current-Feedback Amplifier with Power-down 8-SOIC -40℃ to 85℃ | 当前型号 |
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