TLV2314IDR

TI(德州仪器) 电子元器件分类

适用于成本敏感型系统的 2 通道、3MHz、低噪声、RRIO、1.8V CMOS 运算放大器 8-SOIC -40 to 125

通用放大器电路满摆幅 8-SOIC

得捷:
IC OP AMP RRIO CMOS 3MHZ 8SOIC

立创商城:
TLV2314IDR

德州仪器TI:
Dual, 5.5-V, 3-MHz, RRIO operational amplifier

艾睿:
Op Amp Dual Low Power Amplifier R-R I/O ±2.75V/5.5V 8-Pin SOIC T/R

Verical:
Op Amp Dual Low Power Amplifier R-R I/O ±2.75V/5.5V 8-Pin SOIC T/R

TLV2314IDR中文资料参数规格

技术参数

供电电流 150 µA

电路数 1

共模抑制比 72 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K

转换速率 1.50 V/μs

增益频宽积 3 MHz

输入补偿电压 750 µV

输入偏置电流 1 pA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

共模抑制比Min 72 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TLV2314IDR引脚图与封装图

TLV2314IDR引脚图

TLV2314IDR封装图

TLV2314IDR封装焊盘图

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