TLV5618AQDRG4
TI(德州仪器)
主动器件
TLV5618AQDRG4中文资料参数规格
技术参数
供电电流 1.80 mA
位数 12
采样率 93.0 µHz
功耗 1.80 mW
过温保护 No
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 635 mW
数模转换数DAC 2
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TLV5618AQDRG4引脚图与封装图 
TLV5618AQDRG4引脚图
TLV5618AQDRG4封装图
TLV5618AQDRG4封装焊盘图
在线购买TLV5618AQDRG4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TLV5618AQDRG4 | TI 德州仪器 | 12 位、2.5us 双路 DAC，具有串行输入、可编程内部基准、稳定时间、Q 级温度范围 8-SOIC | 搜索库存 |
替代型号TLV5618AQDRG4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TLV5618AQDRG4 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC 12Bit 8Pin | 当前型号 | 12 位、2.5us 双路 DAC，具有串行输入、可编程内部基准、稳定时间、Q 级温度范围 8-SOIC | 当前型号 |
| 型号： TLV5618AQDG4 品牌： 德州仪器 封装： 8-SOIC 12Bit 8Pin | 类似代替 | 12 位、2.5us 双路 DAC，具有串行输入、可编程内部基准、稳定时间、Q 级温度范围 8-SOIC | TLV5618AQDRG4和TLV5618AQDG4的区别 |