TPS2058DR
TI(德州仪器)
主动器件
TPS2058DR中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.50V max
输出接口数 4
漏源极电阻 100 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 725 mW
连续漏极电流Ids 250 mA
输出电流Max 250 mA
输入电压 2.7V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 SOIC-16
外形尺寸
封装 SOIC-16
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
TPS2058DR引脚图与封装图 
TPS2058DR引脚图
TPS2058DR封装图
TPS2058DR封装焊盘图
在线购买TPS2058DR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TPS2058DR | TI 德州仪器 | 0.345A, 2.7-5.5V Quad 2In/4Out Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 16-SOIC -40℃ to 85℃ | 搜索库存 |
替代型号TPS2058DR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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